Techub News 消息,内存芯片巨头美光科技宣布计划到 2035 年向美国投资约 2500 亿美元,其中约 2000 亿美元为核心承诺,较此前增加 300 亿美元,用于内存芯片制造和研发设施,目标 2027 年实现 40%的 DRAM 芯片本土生产。 该公司计划在爱达荷州建造第二座先进内存工厂,并在纽约建设最多四座大型晶圆厂,同时现代化改造弗吉尼亚州现有设施。此举旨在将先进制造节点从海外转回美国,减少对中国台湾供应链的依赖,为美国加密挖矿和数据中心基础设施提供更稳定的硬件供应,并降低关税风险。(CryptoBriefing)
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