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Techub News에 따르면, MemSilicon은 1TnR 기술 경로를 기반으로 한 첫 번째 세대 고밀도, 대용량 RRAM 칩 "태산 1호 (MountTai 2026)"의 테이프아웃을 완료했다고 발표했다. 이 칩은 28nm CMOS 공정과 1T4R 셀 구조를 채용하였으며, 단일 칩 용량은 1Gb, 밀도는 30Mb/mm²에 달하고, 접근 지연시간은 20ns 미만이며, 온칩 하드웨어 오류 정정 회로를 통합하였다. "태산 1호"는 여러 저항 변조 메모리 셀들이 선택 트랜지스터를 공유하여 단위 면적당 저장 용량을 높였으며 CMOS 플랫폼과 완전히 호환된다. 이 칩은 AI 추론, 체화 지능 등 시나리오에서 고밀도 대용량 온칩 비휘발성 저장 장치에 대한 수요를 충족시키기 위해 설계되었다. 현재 칩은 테이프아웃을 완료하였으며 검증을 진행 중이다. (Quantum Bit)
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