三星电子和SK海力士已获得美国批准,可向中国半导体工厂出口美国产设备。此举虽能确保设备短期内稳定运行,但附加条件是2027年后需每年重新申请许可。
此前在2022年,拜登政府出台了限制对华出口半导体制造设备的政策,并为此设立了"经验证最终用户"制度作为唯一例外。三星电子和SK海力士曾依据该制度获得豁免许可,但去年8月特朗普政府取消VEU资格后,设备出口骤然受阻。若此次未能获得美方新的出口许可,两家公司将不得不暂停中国内存生产线的升级计划。
作为全球NAND闪存龙头和DRAM最大制造商,这两家企业的出口限制本可能冲击整个内存半导体供应链。此次措施也让险些遭受重创的美国设备制造商松了口气。典型代表是泛林集团,其生产的介质刻蚀设备被视作设计NAND闪存内部绝缘结构以减少漏电的关键技术。
泛林集团近期展示了基于低温工艺的新一代介质刻蚀技术,据悉全球主要内存企业均已引进该技术。另一核心设备供应商应用材料公司则提供HBM等高端内存部件生产所需的硅通孔设备。TSV是通过垂直堆叠内存电路提升处理速度的技术,在HBM制造工艺中占比超过半数。作为该技术奠基者,应用材料公司也深度参与HBM用晶体管及数据处理电路的生产。
值得注意的是,本次措施预计对台积电运营的中国晶圆厂也将产生一定影响,但目前是否适用于台积电尚不明确。美国政府自8月取消VEU资格后,持续加强对华半导体生产管控的态势。
尽管此次出口许可使三星和SK海力士避免了眼前的生产中断,但每年需重新申请许可的不稳定体制将持续,预计中长期设备投资与战略制定仍将受限。在此监管环境下,设备供应商与内存企业都难免需要重新调整对华战略。


