据悉，尽管面临美国高端半导体出口管制，中国已成功自主研发极紫外光刻机（EUV）原型设备。有消息称中国设定了最早于2028年启动基于该设备的芯片生产目标，这使得围绕技术霸权的中美竞争再度引发关注。
极紫外光刻设备是半导体制造过程中刻蚀电路的核心装备，目前仅荷兰半导体设备企业ASML在全球独家生产。EUV技术能实现比传统技术更精密细微的电路图案，是生产7纳米以下尖端半导体不可或缺的技术。该领域技术壁垒极高——ASML于2001年成功制造原型机后，直至2019年才实现商用芯片生产所需的技术完善。
据路透社援引匿名消息人士报道，中国已在深圳地区某秘密研究设施内开发出原型机并正在进行测试。该设备虽尚未达到实际制造芯片的阶段，但已被评估成功实现极紫外光生成。不过，其在精密光学技术等领域仍面临亟待突破的技术瓶颈。
据悉，曾任职于ASML的高薪技术人员深度参与了此次原型机研发。他们通过拆解分析ASML设备并仿效其功能的方式推进开发。另有消息称，中国正通过第三国流通网络和中介机构获取二手设备及零部件以保障供应链。
该项目被评价为中国政府倾注核心资源的国家级工程，其战略意义可类比二战时期美国以研制原子弹为目标的"曼哈顿计划"。半导体技术自立是中国核心政治经济战略之一，此举可视为减少对外国设备依赖的长期尝试。尤其华为在统筹全国工程师组织与国有研究所过程中发挥主导作用，体现出官民协作机制正在有机推进。
这一动向表明中国正对美国主导的全球半导体技术封锁战略展开实质性应对。尽管技术差距依然存在且短期商业化难度较大，但原本预计需十年以上的开发周期很可能大幅缩短，预计将对未来全球半导体供应链重组产生显著影响。
