在美国纽约证券交易所上市的一只存储器半导体主题交易所交易基金（ETF）在上市仅六周内便吸引了大规模资金，其资产规模已超越凯茜·伍德（Cathie Wood）旗下旗舰基金。分析认为，随着人工智能基础设施的扩展，市场对存储器半导体需求将快速增长的预期升温，加之美国投资者此前不易直接投资的韩国三星电子和SK海力士在该基金中占比较高，成为资金流入增加的主要背景。
据《华尔街日报》当地时间14日报道，美国资产管理公司Roundhill Investments于2026年4月2日上市的"Roundhill Memory ETF"（代码DRAM）自推出以来已筹集约90亿美元（约合13万亿韩元）的资产。目前其市值为76亿美元（约11.3万亿韩元），近一个月收益率为59.17%。该基金投资于计算机内存和存储设备相关企业，截至14日，其主要持仓股包括SK海力士（28.1%）、美光科技（26.3%）、三星电子（20.6%）、铠侠（Kioxia，5.7%）和闪迪（Sandisk，4.9%）等。仅从高位持仓比重便可见韩国存储器半导体企业的影响力占据绝对主导地位。
此次成功并非仅由单纯的主题投资热潮所解释。半导体行业内认为，随着人工智能服务器和数据中心的增加，高带宽存储器（HBM）和DRAM等存储器半导体的需求也随之增长。投资者正通过这一结构性变化，开始将存储器行业视为独立的投资标的。特别是三星电子和SK海力士虽是引领全球存储器半导体市场的代表性企业，但并未在美国股市直接上市，因此对美国个人投资者而言投资途径有限。DRAM ETF被视为一次性解决这一不便的工具，并由此成为一个利基产品迅速大众化的案例。
资金流入的速度也非同寻常。据Vanda Research数据，该基金累计净买入额在上市第27天便突破2亿美元，以6周为基准，累计净买入额超过2.5亿美元（约3620亿韩元）。这一速度超过了同期流向英伟达等热门股票的资金流。相比之下，曾在2024年引领加密货币现货投资热潮的"iShares Bitcoin Trust ETF"（IBIT）达到相同基准用时29天，这使得DRAM ETF的表现更为突出。彭博情报（Bloomberg Intelligence）的ETF分析师埃里克·巴尔丘纳斯（Eric Balchunas）因此评价其为"超乎想象的冲击"。Roundhill公司首席执行官戴夫·马扎（Dave Mazza）表示，需求中相当一部分来自个人投资者，并解释说韩国个人投资者也对这只投资于本国代表企业的美国上市ETF的诞生赋予了象征性意义。
实际市场氛围也与存储器行业强势表现相契合。自DRAM ETF上市以来，SK海力士股价上涨了89.4%，三星电子股价上涨了41.3%，闪迪和美光科技也分别上涨了59%。相比之下，曾一度被称为主动型主题基金象征的ARK Innovation ETF（ARKK）因收益率不佳，资产规模有所缩减。成立于2018年的Roundhill虽是一家仅有12名员工的小型资产管理公司，但此次产品在收取年化0.65%管理费的同时，已成为公司内部第三大ETF。这一趋势表明，只要人工智能投资热度持续，以存储器半导体为核心的单一行业主题ETF需求有望进一步增长。不过，资金过度集中于特定行业及少数股票时，波动性也可能随之加大。因此，未来不仅是资金流入速度，业绩与行业景气度能否支撑市场预期，将是决定持续性的核心变量。
