台积电为应对AI半导体需求 将同步扩大台湾、美国、日本的3纳米工艺产能

台积电为应对人工智能半导体需求扩大，决定从2027年开始在台湾和美国全面启动3纳米工艺半导体量产，并将在日本逐步增加同系列生产基地。

据17日台湾媒体报道，董事长魏哲家在16日的2026年第一季度业绩说明会上表示，尖端半导体需求正以超出预期的速度增长，并公布了生产基地扩充计划。其核心是在多个地区同步扩大3纳米工艺。台湾南部台南科学园区的新工厂将于2027年上半年开始量产，美国亚利桑那州第二工厂将应用3纳米工艺，计划从2027年下半年开始生产。日本熊本第二工厂的目标是2028年启动量产。

3纳米是通过缩小电路线宽来提升能效和运算性能的尖端工艺。它不仅是智能手机高性能芯片的关键技术，也被视为近期快速增长的人工智能服务器用半导体至关重要的技术。魏董事长解释说，随着产业重心从生成式人工智能转向代理型人工智能，需要更复杂、数量更多的半导体。他也表明了将先发制人地确保产能，以防止客户订单流向竞争对手的意图。

台积电也在同步推进3纳米之后的2纳米和1.4纳米工艺准备。公司方面表示，计划于2026年第四季度开始在台湾新竹和高雄工厂量产2纳米工艺产品。此外，采用第二代纳米片晶体管结构的A14，即1.4纳米工艺，目标是在2028年实现量产。这被解读为不仅是单纯增加工厂，更是旨在长期保持尖端半导体主导权的战略。

大规模投资计划也与这一方向相契合。魏董事长在今年1月强调人工智能需求并非暂时性泡沫，并提出2026年资本支出将在520亿至560亿美元之间。这比2025年的409亿美元增长了27%至37%。市场认为，台积电将生产基地扩展至美国和日本的背后，既有客户供应链多元化要求的作用，也有分散地缘政治风险的需要。这一趋势或将使未来的尖端工艺竞争更加激烈，并可能推动全球半导体投资版图从以亚洲为中心的单极结构向多极体系转变。