日本半导体初创企业Rapidus正致力于在下一代尖端制程竞争中实现跨越式发展。《日经亚洲》25日（当地时间）报道称，Rapidus计划从2027年开始建设1.4纳米制程半导体生产设施。这意味着该公司将直接挑战台积电、美国英特尔、三星电子等全球半导体制造商目前正在研发的先进制程技术。
总部位于东京的Rapidus自2022年成立以来，已获得软银集团和索尼等日本主要企业的股权投资，并从日本政府获得数万亿韩元规模的补贴。目前Rapidus正在试运行位于北海道的首条生产线，该工厂目标在2027年实现2纳米芯片量产。随后计划于同年启动1.4纳米级晶圆厂建设。
Rapidus的战略差异化在于单片晶圆处理技术。当前多数半导体企业采用数十张晶圆批量处理高温工艺（如退火、氧化）的方式，而Rapidus则通过逐片处理晶圆来减少质量偏差并提升良率。
与此同时，Rapidus计划将半导体制造后切割芯片单元（晶粒）并将其接合到基板上的系列工序自动化，并在自有产线内直接处理。这被视为通过内部化传统外包工序以实现生产效率最大化的战略尝试。
据《日经新闻》报道，Rapidus拟从2029年开始量产1.4纳米芯片，并规划未来进一步拓展至1.0纳米制程。虽然较台积电2028年量产计划推迟约一年，但从日本构建本土尖端量产技术的国家战略层面来看仍具有重要意义。
半导体专家认为，若Rapidus成功进军尖端制程市场，将在全球供应链多元化格局中形成重要替代方案。特别是在美国技术管制、中国反制、欧洲供应链回流等复杂化的半导体产业版图中，日本的生产能力可能重新获得关注。
此次新投资计划表明日本政府半导体产业重建战略已进入实质推进阶段。同时更凸显出Rapidus试图缩小与一直主导尖端制程技术的台积电之间技术差距的强烈决心。
