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Techub News 消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片「泰山一号（MountTai 2026）」流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。 「泰山一号」通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积存储容量，并与 CMOS 平台完全兼容。该芯片旨在满足 AI 推理、具身智能等场景对片上高密度大容量非易失存储的需求。目前芯片已完成流片，正在推进验证。（量子位）
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Techub News 消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片「泰山一号（MountTai 2026）」流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。 「泰山一号」通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积存储容量，并与 CMOS 平台完全兼容。该芯片旨在满足 AI 推理、具身智能等场景对片上高密度大容量非易失存储的需求。目前芯片已完成流片，正在推进验证。（量子位）
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