램버스(Rambus Inc.)今日发布了HBM4E内存控制器IP。该解决方案是专为满足高内存带宽需求而设计的业界首款产品，能够满足下一代人工智能加速器、图形处理器及高性能计算系统的需求。新控制器支持每引脚最高16Gb/s速率，为每个HBM4E设备提供高达4.1TB/s的内存带宽。
HBM4E设备采用垂直堆叠的DRAM芯片，可提供极高的内存带宽与低延迟特性，其效能尤其在AI和高性能计算系统中得以彰显。支持AI加速器配置的此解决方案，在连接8个HBM4E堆栈时可实现超过32TB/s的总内存带宽，非常适合大规模模型训练及数据密集型计算工作负载。
高带宽内存已成为现代AI芯片的基础性技术，助力缩小计算吞吐量与内存访问速度之间的差距。램버斯旨在通过此控制器IP，在AI芯片设计中实现重要的差异化优势。
全新HBM4E控制器基于램버斯超过100项HBM设计成功经验及长期积累的内存接口IP专业知识开发而成。其集成了可靠性功能，可帮助客户首次流片即获成功。
该IP可与第三方标准或硅连接PHY解决方案协同使用，构建形成2.5D或3D封装内的HBM4E内存子系统。这为集成至AI SoC或定制化芯片实现提供了灵活性，支持涵盖云端、企业及边缘部署场景的多样化设计。该IP现已开放授权，并通过早期接入计划向设计客户提供。
